STS1NK60Z Datasheet

IC型號：
STS1NK60Z
PDF描述：
N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.25A SO-8 ZENER-PROTECTED SUPERMESH P...
文件大?。?/label>
302.62KB
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8頁
芯片廠家：
ETC

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STS1NK60Z

N-CHANNEL 600V - 13鈩?- 0.25A - SO-8

Zener-Protected SuperMESH鈩?Power MOSFET

TYPE

STS1NK60Z

DSS

600 V

DS(on)

< 15

鈩?/div>

0.25 A

TYPICAL R

(on) = 13鈩?/div>

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

ESD IMPROVED CAPABILITY

100% AVALANCHE TESTED

NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK

GATE CHARGE MINIMIZED

SO-8

DESCRIPTION

The SuperMESH鈩?series is obtained through an

extreme optimization of ST鈥檚 well established strip-

based PowerMESH鈩?layout. In addition to pushing

on-resistance significantly down, special care is tak-

en to ensure a very good dv/dt capability for the

most demanding applications. Such series comple-

ments ST full range of high voltage MOSFETs in-

cluding revolutionary MDmesh鈩?products.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS

SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

ORDERING INFORMATION

SALES TYPE

STS1NK60Z

MARKING

S1NK60Z

PACKAGE

SO-8

PACKAGING

TAPE & REEL

June 2003

1/8

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標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
250mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
15 歐姆 @ 400mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6.9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
94pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-12798-6

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型號

版本

描述

廠商

下載
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