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STQ1NE10L Datasheet

  • STQ1NE10L

  • N-CHANNEL 100V - 0.3 ohm - 1A TO-92 STripFET⑩ POWER MOSFET

  • 9頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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N-CHANNEL 100V - 0.3
鈩?/div>
- 1A TO-92
STripFET鈩?POWER MOSFET
TYPE
STQ1NE10L
s
s
s
s
s
STQ1NE10L
V
DSS
100 V
R
DS(on)
<0.4
鈩?/div>
I
D
1A
TYPICAL R
DS
(on) = 0.3
鈩?/div>
EXCEPTIONAL HIGH dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
LOW THRESHOLD DRIVE
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size鈩?quot;
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a remark-
able manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s
DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES, etc.)
s
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s
SYNCHRONOUS RECTIFICATION
TO-92
TO-92
(Ammopack)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
(1)
dv/dt
(2)
E
AS
(3)
T
stg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate- source Voltage
Drain Current (continuous) at T
C
= 25擄C
Drain Current (continuous) at T
C
= 100擄C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25擄C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Single Pulse Avalanche Energy
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Value
100
100
鹵 16
1
0.6
4
3
0.025
6
400
-55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/擄C
V/ns
mJ
擄C
擄C
(鈥?
Pulse width limited by safe operating area.
(1)
Related to R
thj -l
(2) I
SD
鈮?A,
di/dt
鈮?00A/碌s,
V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX
(3) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 1A, V
DD
= 50V
December 2002
.
1/9

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    ETC
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