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STP80NE06-10 Datasheet

  • STP80NE06-10

  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOS...

  • 8頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STP80NE06-10
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
鈥?SINGLE FEATURE SIZE鈩?鈥?POWER MOSFET
TYPE
ST P80NE06-10
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS(on)
<0.01
鈩?/div>
I
D
80 A
TYPICAL R
DS(on)
= 0.0085
鈩?/div>
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
2
3
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
SGS-THOMSON unique 鈥漇ingle Feature Size鈩?鈥?/div>
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a
remarkable manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
s
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
s
DC-DC CONVERTERS
s
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT
1
TO-220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
t ot
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25 C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating F actor
dv/dt
T
stg
T
j
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage T emperature
Max. O perating Junction Temperature
o
o
Value
60
60
鹵
20
80
57
320
150
1
7
-65 to 175
175
(
1
) I
SD
鈮?/div>
80 A, di/dt
鈮?/div>
300 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX
Uni t
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V/ ns
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
February 1998
1/8

STP80NE06-10 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 60V

  • 80A

  • 10 毫歐 @ 40A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 140nC @ 10V

  • 10000pF @ 25V

  • 150W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • 497-2778-5

STP80NE06-10相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠(chǎng)商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    SAMHOP [Sa...
  • 英文版
    Bi-Directional Triode Thyristor
    ETC
  • 英文版
    Bi-Directional Triode Thyristor
    SEMIWELL
  • 英文版
    Bi-Directional Triode Thyristor
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II ...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II ...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh⑩Power M...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh⑩Power M...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-CHANNEL 600V - 0.9ohm - 8A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK MDmes...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripF...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-CHANNEL 600V - 0.9ohm - 8A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK MDmes...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    MOSFET N-CH 60V TO-220

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