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STP4N20 Datasheet

  • STP4N20

  • N - CHANNEL 200V - 1.3 ohm - 4A TO-220 POWER MOS TRANSISTOR

  • 85.66KB

  • 8頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
STP4N20
N - CHANNEL 200V - 1.3
鈩?/div>
- 4A TO-220
POWER MOS TRANSISTOR
T YPE
STP4N20
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
200 V
R
DS(on)
< 1.5
鈩?/div>
I
D
4A
TYPICAL R
DS(on)
= 1.3
鈩?/div>
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100% AVALANCHE TESTED
LOW GATE CHARGE
HIGH CURRENT CAPABILITY
150
o
C OPERATING TEMPERATURE
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
TO-220
3
1
2
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
s
DC-DC CONVERTERS & DC-AC INVERTERS
s
TELECOMMUNICATION POWER SUPPLIES
s
INDUSTRIAL MOTOR DRIVERS
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
T
s tg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
G ate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
T otal Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
200
200
鹵
20
4
2.5
16
60
0.48
-65 to 150
150
Un it
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
February 1999
1/8

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    STMICROELECTRON...

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