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STP4N150_06 Datasheet

  • STP4N150_06

  • N-channel 1500V - 5ヘ - 4A - TO-220/TO-247 Very high PowerME...

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STP4N150
STW4N150
N-channel 1500V - 5鈩?- 4A - TO-220/TO-247
Very high PowerMESH鈩?Power MOSFET
General features
Type
STP4N150
STW4N150
鈻?/div>
鈻?/div>
鈻?/div>
鈻?/div>
V
DSS
(@Tjmax)
1500 V
1500 V
R
DS(on)
<7
鈩?/div>
<7
鈩?/div>
I
D
4A
4A
3
1
2
Avalanche ruggedness
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
High speed switching
TO-220
TO-247
Description
Using the well consolidated high voltage MESH
OVERLAY鈩?process, STMicroelectronics has
designed an advanced family of Power MOSFETs
with outstanding performances. The strengthened
layout coupled with the Company鈥檚 proprietary
edge termination structure, gives the lowest
RDS(on) per area, unrivalled gate charge and
switching characteristics.
Internal schematic diagram
Applications
鈻?/div>
Switching application
Order codes
Part number
STP4N150
STW4N150
Marking
P4N150
W4N150
Package
TO-220
TO-247
Packaging
Tube
Tube
August 2006
Rev 4
1/14
www.st.com
14

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  • 型號(hào)
    版本
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    廠商
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    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-220AB
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | TO-220AB
    ETC
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    ETC
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    ETC
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    ETC
  • 英文版
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    ETC
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    N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GAT...
    STMICROELECTRONICS
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    STMICROELECTRONICS
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
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