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- 12A TO-220

STripFET鈩?POWER MOSFET

TYPE

STP12PF06

s

V

DSS

60 V

R

DS(o n)

< 0.20

鈩?/div>

I

D

12 A

TYPICAL R

DS(on)

= 0.18

鈩?/div>

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

100% AVALANCHE TESTED

LOW GATE CHARGE

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATIONL

3

1

2

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of

STMicroelectronics unique 鈥漇ingle Feature

Size鈩⑩€?strip-based process. The resulting transi-

stor shows extremely high packing density for low

on-resistance, rugged avalanche characteristics

and less critical alignment steps therefore a re-

markable manufacturing reproducibility.

APPLICATIONS

s

MOTOR CONTROL

s

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

TO-220

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symb ol

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

D

I

DM

(鈥?

P

tot

dv/dt

T

st g

T

j

Parameter

Drain-source Voltage (V

GS

= 0)

Drain- gate Voltage (R

GS

= 20 k鈩?

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T

c

= 25 C

Drain Current (continuous) at T

c

= 100

o

C

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T

c

= 25

o

C

Derating F actor

Peak Diode Recovery voltage slope

Storage T emperature

Max. Operating Junction Temperature

o

Value

60

鹵

20

12

8.4

48

60

0.4

6

-65 to 175

175

Unit

V

A

W

W /

o

C

V/ns

o

C

(

鈥?/div>

) Pulse width limited by safe operating area

(

1

) I

SD

鈮?/div>

12 A, di/dt

鈮?/div>

300 A/

碌

s, V

DD

鈮?/div>

V

(BR)DSS

, T

j

鈮?/div>

T

JMAX

Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current has to be reversed

May 2000

1/8

其它有關(guān)文件
STP12PF06 View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 10A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-2721-5

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
STP11N06

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | ...

ETC

STP11N06
STP12A60

英文版

Bi-Directional Triode Thyristor

ETC

STP12A60
STP12A60

英文版

Bi-Directional Triode Thyristor

SEMIWELL

STP12A60
STP12A60

英文版

Bi-Directional Triode Thyristor

ETC [ETC]

STP12A60
STP13N10

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) |...

ETC

STP13N10
STP16A60

英文版

Bi-Directional Triode Thyristor

ETC

STP16A60
STP16A60

英文版

Bi-Directional Triode Thyristor

ETC [ETC]

STP16A60
STP18N10

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) |...

ETC

STP18N10
STP19N06

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STP19N06
STP19N06

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STMICROELECTRON...

STP19N06
STP10N10L

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) |...

ETC

STP10N10L
STP10NA40

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STP10NA40
STP10NA40

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STMICROELECTRON...

STP10NA40
STP10NB20

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

STP10NB20
STP10NB20

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

STMICROELECTRON...

STP10NB20
STP10NB50

英文版

N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - TO-220/TO-220FP PowerME...

STP10NB50
STP10NB50

英文版

N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - TO-220/TO-220FP PowerME...

STMICROELECTRON...

STP10NB50
STP10NC50

英文版

N - CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A - TO-220/TO-220FP PowerMESH...

STP10NC50
STP10NC50

英文版

N - CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A - TO-220/TO-220FP PowerMESH...

STMICROELECTRON...

STP10NC50
STP11NB40

英文版

N - CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A - TO-220/TO-220FP PowerME...

STP11NB40

STP12PF06 Datasheet

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