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STN2NF10 Datasheet

  • STN2NF10

  • N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MO...

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STN2NF10
N-CHANNEL 100V - 0.23鈩?- 2A SOT-223
STripFET鈩?II POWER MOSFET
TYPE
STN2NF10
s
V
DSS
100 V
R
DS(on)
< 0.26
鈩?/div>
I
D
2A
TYPICAL R
DS
(on) = 0.23
鈩?/div>
2
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size鈩?quot;
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a remark-
able manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s
DC-DC & DC-AC COVERTERS
s
DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVERS, etc.)
s
SYNCHRONOUS RECTIFICATION
1
SOT-223
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(鈥?
I
D
I
DM
(鈥⑩€?
P
tot
E
AS
(1)
T
stg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate- source Voltage
Drain Current (continuos) at T
C
= 25擄C
Drain Current (continuos) at T
C
= 100擄C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25擄C
Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
100
100
鹵 20
2
1.26
8
2.5
0.02
300
-65 to 150
150
(1) I
SD
鈮?A,
di/dt
鈮?00A/碌s,
V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/擄C
mJ
擄C
擄C
(鈥⑩€?
Pulse width limited by safe operating area.
(鈥?
Current limited by the package
December 2001
.
1/8

STN2NF10 產(chǎn)品屬性

  • STN2NF10 View All Specifications

  • 1

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • STripFET™

  • MOSFET N 通道,金屬氧化物

  • 標準型

  • 100V

  • 2.4A

  • 260 毫歐 @ 1.2A,10V

  • 4V @ 250µA

  • 14nC @ 10V

  • 280pF @ 25V

  • 3.3W

  • 表面貼裝

  • TO-261-4,TO-261AA

  • SOT-223

  • Digi-Reel?

  • 497-8023-6

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    NPN Silicon Transistor
    AUK [AUK c...
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
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    MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223

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