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STN2NF06 Datasheet

  • STN2NF06

  • N - CHANNEL 60V - 0.12ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSF...

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廬
STN2NF06
N - CHANNEL 60V - 0.12鈩?- 2A - SOT-223
STripFET鈩?POWER MOSFET
TYPE
ST N2NF06
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS(on)
< 0.15
鈩?/div>
I
D
2 A
TYPICAL R
DS(on)
= 0.12
鈩?/div>
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100 % AVALANCHE TESTED
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
2
3
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of
STMicroelectronics unique 鈥漇ingle Feature
Size鈩?鈥?stip-based process. The resulting transis-
tor shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s
DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)
s
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s
SYNCHRONOUS RECTIFICATION
1
SOT-223
2
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
to t
dv/dt(
1
)
T
st g
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25 C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage Temperature
Max. Operating Junction T emperature
o
o
Value
60
60
鹵
20
2
1.8
8
2.5
0.02
6
-65 to 150
150
(
1
) I
SD
鈮?/div>
8 A, di/dt
鈮?/div>
200 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V/ns
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
New RDS (on) spec. starting from JULY 98
July 1998
1/9

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    NPN Silicon Transistor
    AUK [AUK c...
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    PNP Silicon Transistor
    AUK [AUK c...
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
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    AUK
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    NPN Silicon Transistor
    AUK [AUK c...
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