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STN2NE06 Datasheet

  • STN2NE06

  • N-CHANNEL 60V - 0.18ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
STN2NE06
N-CHANNEL 60V - 0.18鈩?- 2A - SOT-223
STripFET鈩?POWER MOSFET
TYPE
STN2NE06
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS(on)
< 0.25
鈩?/div>
I
D
2 A
TYPICAL R
DS(on)
= 0.18
鈩?/div>
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100 % AVALANCHE TESTED
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
2
3
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of
STMicroelectronics unique 鈥漇ingle Feature
Size鈩⑩€?stip-based process. The resulting transi-
stor shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s
DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)
s
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s
SYNCHRONOUS RECTIFICATION
1
SOT-223
2
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symb ol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
dv/dt(
1
)
T
st g
T
j
April 1999
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating F actor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage T emperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
60
60
鹵
20
2
1.3
8
2.5
0.02
6
-65 to 150
150
(
1
) I
SD
鈮?/div>
8 A, di/dt
鈮?/div>
200 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V/ns
o
o
C
C
1/8
(鈥? Pulse width limited by safe operating area

STN2NE06 產品屬性

  • STMicroelectronics

  • N-Channel

  • 60 V

  • +/- 20 V

  • 2 A

  • 0.25 Ohms

  • Single Dual Drain

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • SOT-223

  • 4.5 ns

  • - 65 C

  • 2.5 W

  • 10 ns

  • 4000

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    AUK [AUK c...
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