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STN1HNC60 Datasheet

  • STN1HNC60

  • N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STN1HNC60
N-CHANNEL 600V - 7鈩?- 0.4A - SOT-223
PowerMesh鈩I MOSFET
TYPE
STN1HNC60
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
R
DS(on)
<8
鈩?/div>
I
D
0.4 A
TYPICAL R
DS
(on) = 7鈩?/div>
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
GATE CHARGE MINIMIZED
2
1
SOT-223
2
3
DESCRIPTION
The PowerMESH
鈩?/div>
II is the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY
鈩?
The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
APPLICATIONS
AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS
s
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT
s
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM (1)
P
TOT
dv/dt
T
stg
T
j
May 2001
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate- source Voltage
Drain Current (continuos) at T
C
= 25擄C
Drain Current (continuos) at T
C
= 100擄C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25擄C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
600
600
鹵30
0.4
0.25
1.6
2.5
0.02
3.5
鈥?5 to 150
150
(1)I
SD
鈮?.4A,
di/dt
鈮?00A/碌s,
V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/擄C
V/ns
擄C
擄C
1/8
(鈥?Pulse width limited by safe operating area

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    廠商
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    ETC
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