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STM4884A Datasheet

  • STM4884A

  • N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor

  • 7頁

  • SAMHOP

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S T M4884A
S amHop Microelectronics C orp.
Dec 28 2004 ver1.1
N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor
P R ODUC T S UMMAR Y
V
DS S
30V
F E AT UR E S
(m
I
D
12A
R
DS (ON)
W
)
typ
S uper high dense cell design for low R
DS (ON
).
6 @ V
G S
= 10V
8.5 @ V
G S
= 4.5V
R ugged and reliable.
S urface Mount P ackage.
S O-8
1
ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
P arameter
Drain-S ource Voltage
Gate-S ource Voltage
Drain C urrent-C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
b
-P ulsed
Drain-S ource Diode Forward C urrent
a
Maximum P ower Dissipation
a
Operating Junction and S torage
Temperature R ange
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
S TG
Limit
30
20
12
44
1.7
2.5
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
C
THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S
Thermal R esistance, Junction-to-Ambient
a
R
JA
50
C /W
1

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