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STH81002Z Datasheet

  • STH81002Z

  • 1550nm Laser in Coaxial TO-Package

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  • INFINEON   INFINEON

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STH81002Z
1550nm Laser in Coaxial TO-Package
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鈥?/div>
Designed for application in fiber-optic networks
Laser Diode with Multi-Quantum Well structure
Suitable for bit rates up to 1 Gbit/s
Ternary photodiode at rear mirror for monitoring and
control of radiant power
Hermetically sealed subcomponent, similar to TO 18
with integrated Silicon-Optics for high coupling
efficiencies
Maximum Ratings
Output power ratings refer to the optical port. The operating temperature of the submount
is identical to the case temperature
Module
Operating Temperature range at case
Storage Temperature range
Soldering Temperature
tmax = 10 s, 2 mm distance from bottom edge of case
Symbol
T
C
T
stg
T
S
Values
- 40... +85
- 40... +85
260
Unit
擄C
擄C
擄C
Laserdiode
Direct forward current
Radiant power CW
Reverse Voltage
Symbol
I
F max
桅
e
V
R max
Values
120
10
2
Unit
mA
mW
V
Monitor Diode
Reverse Voltage
Symbol
V
R max
Values
10
Unit
V
Siemens Aktiengesellschaft
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    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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  • 英文版
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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    N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩...
    STMICROELECTRON...
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    1550nm Laser in Coaxial TO-Package
    INFINEON
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    1550nm Laser in Coaxial TO-Package
    SIEMENS [S...
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    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
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    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 52A I(D) | ...
    ETC
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    MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2

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