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STH6N100 Datasheet

  • STH6N100

  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

  • 10頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STH6N100
STH6N100FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STH6N100
STH6N100FI
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
1000 V
1000 V
R
DS( on)
< 2
鈩?/div>
< 2
鈩?/div>
I
D
6A
3.7 A
TYPICAL R
DS(on)
= 1.75
鈩?/div>
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
LOW INPUT CAPACITANCE
LOW GATE CHARGE
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
3
2
1
3
2
1
TO-218
ISOWATT218
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
s
DC-AC INVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLY (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
STH6N100
V
D S
V
DG R
V
GS
I
D
I
D
I
D M
(鈥?
P
tot
V
ISO
T
stg
T
j
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
STH6N100
1000
1000
鹵
20
6
3.7
24
180
1.44
錚?/div>
-65 to 150
150
3.7
2.3
24
70
0.56
4000
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
December 1996
1/10

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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 65A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 65A I(D) | ...
    ETC
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.8A I(D) ...
    ETC
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    Target Specification 1300nm DFB Laser in Coaxial Package wit...
    Infineon
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    Target Specification 1300nm DFB Laser in Coaxial Package wit...
    Infineon
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    Target Specification 1300nm DFB Laser in Coaxial Package wit...
    Infineon
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 37A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 37A I(D) | ...
    ETC
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST PO...
    STMICROELECTRONICS
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    N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST PO...
    STMICROELECTRON...
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMicro
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    MOSFET N-CH 950V 6A

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