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STG8210 Datasheet

  • STG8210

  • Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

  • 651.96KB

  • 7頁

  • SAMHOP

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S T G 8210
S amHop Microelectronics C orp.
J un,08 2005 ver1.1
Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor
P R ODUC T S UMMAR Y
V
DS S
20V
F E AT UR E S
( m
W
) Max
I
D
7A
R
DS (ON)
S uper high dense cell design for low R
DS (ON
).
20 @ V
G S
= 4.0V
28 @ V
G S
= 2.5V
R ugged and reliable.
S urface Mount P ackage.
E S D P rotected.
T S S OP
D
1
/D
2
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
1
/D
2
S
2
S
2
G
2
D
1
D
2
G
1
G
2
(T OP V IE W)
S
1
S
2
ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
P arameter
Drain-S ource Voltage
Gate-S ource Voltage
Drain C urrent-C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
b
-P ulsed
Drain-S ource Diode Forward C urrent
a
Maximum P ower Dissipation
a
Operating Junction and S torage
Temperature R ange
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
S TG
Limit
20
10
7
28
1.7
1.5
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
C
THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S
Thermal R esistance, Junction-to-Ambient
a
R
JA
85
C /W
1

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