STE70NM60 Datasheet

IC型號：
STE70NM60
PDF描述：
N-CHANNEL 600V - 0.050W - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh ...
文件大小：
313.97KB
PDF頁數(shù)：
8頁
芯片廠家：
STMICROELECTRONICS

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STE70NM60

N-CHANNEL 600V - 0.050鈩?- 70A ISOTOP

Zener-Protected MDmesh鈩ower MOSFET

TYPE

STE70NM60

DSS

600V

DS(on)

< 0.055鈩?/div>

70 A

TYPICAL R

(on) = 0.050鈩?/div>

HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES

IMPROVED ESD CAPABILITY

LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE

CHARGE

LOW GATE INPUT RESISTANCE

TIGHT PROCESS CONTROL

INDUSTRY鈥橲 LOWEST ON-RESISTANCE

DESCRIPTION

The MDmesh鈩?is a new revolutionary MOSFET

technology that associates the Multiple Drain pro-

cess with the Company鈥檚 PowerMESH鈩?horizontal

layout. The resulting product has an outstanding low

on-resistance, impressively high dv/dt and excellent

avalanche characteristics. The adoption of the

Company鈥檚 proprietary strip technique yields overall

dynamic performance that is significantly better than

that of similar competition鈥檚 products.

APPLICATIONS

The MDmesh鈩?family is very suitable for increasing

power density of high voltage converters allowing

system miniaturization and higher efficiencies.

ISOTOP

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ORDERING INFORMATION

SALES TYPE

STE70NM60

MARKING

E70NM60

PACKAGE

ISOTOP

PACKAGING

TUBE

March 2003

1/8

其它有關文件
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標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
70A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
55 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
266nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7300pF @ 25V
功率 - 最大
600W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
ISOTOP
供應商設備封裝
ISOTOP?
包裝
管件
其它名稱
497-3173-5

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描述

廠商

下載
STE70NM50

英文版

N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmes...

STE70NM50
STE70NM50

英文版

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