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STD6N10 Datasheet

  • STD6N10

  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

  • 173.33KB

  • 10頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STD6N10
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STD6N10
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS( on)
< 0.45
鈩?/div>
I
D
6A
s
s
TYPICAL R
DS(on)
= 0.35
鈩?/div>
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
LOW GATE CHARGE
HIGH CURRENT CAPABILITY
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX 鈥?1鈥?
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX 鈥漈4鈥?
3
1
IPAK
TO-251
(Suffix 鈥?1鈥?
2
1
DPAK
TO-252
3
(Suffix 鈥漈4鈥?
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
s
REGULATORS
s
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
s
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
D S
V
DG R
V
GS
I
D
I
D
I
D M
(鈥?
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
100
100
鹵
20
6
4
24
35
0.23
-65 to 175
175
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
December 1996
1/10

STD6N10 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • N-Channel

  • 100 V

  • +/- 20 V

  • 6 A

  • 0.45 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • DPAK

  • 20 ns

  • - 65 C

  • 35 W

  • 40 ns

  • 75

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Fuse
    ETC
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor
    SAMHOP [Sa...
  • 英文版
    HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-channel 55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩ low volt...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    NPN Silicon Transistor
    AUK
  • 英文版
    N-CHANNEL 400V - 0.75ohm - 5A - DPAK / IPAK PowerMesh⑩II MO...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL 400V - 0.75ohm - 5A - DPAK / IPAK PowerMesh⑩II MO...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-CHANNEL 100V - 0.22 ohm - 6A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STr...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL 100V - 0.22 ohm - 6A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STr...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transis...
    SAMHOP
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSF...
    STMICROELECTRONICS

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