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STD2NB60 Datasheet

  • STD2NB60

  • N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET

  • 11頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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N-CHANNEL 600V - 3.3
鈩?/div>
- 2.6A DPAK/IPAK
PowerMESH鈩?MOSFET
Table 1. General Features
Type
STD2NB60
STD2NB60-1
V
DSS
600 V
600 V
R
DS(on)
< 3.6
鈩?/div>
< 3.6
鈩?/div>
I
D
2.6 A
2.6 A
STD2NB60
STD2NB60-1
Figure 1. Package
FEATURES SUMMARY
鈻?/div>
TYPICAL R
DS(on)
= 3.3
鈩?/div>
鈻?/div>
鈻?/div>
鈻?/div>
鈻?/div>
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
IPAK
TO-251
3
2
1
3
1
DPAK
TO-252
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY鈩?/div>
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstand-
ing performances. The new patent pending strip
layout coupled with the Company鈥檚 proprietary
edge termination structure, gives the lowest
RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/
dt capabilities and unrivalled gate charge and
switching characteristics.
APPLICATIONS
鈻?/div>
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
鈻?/div>
Figure 2. Internal Schematic Diagram
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
Table 2. Order Codes
Part Number
STD2NB60T4
STD2NB60-1
Marking
D2NB60
D2NB60
Package
DPAK
IPAK
Packaging
TAPE & REEL
TUBE
REV. 2
April 2004
1/11

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    Fuse
    ETC
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    Fuse
    ETC
  • 英文版
    Fuse
    ETC
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    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    This axial leaded strap product is designed to provide relia...
    LITTELFUSE
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
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    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
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    Single-Chip Worldwide iDTV Processor
    STMICROELECTRONICS
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    Single-Chip Worldwide iDTV Processor
    ST
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    Low voltage fast-switching PNP power transistor
    STMICROELECTRONICS
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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