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STD2NA50 Datasheet

  • STD2NA50

  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

  • 6頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STD2NA50
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE
STD2NA50
V
DSS
500 V
R
DS(on)
<4
鈩?/div>
I
D
2.2 A
s
s
s
s
s
s
s
s
s
TYPICAL R
DS(on)
= 3.25
鈩?/div>
鹵
30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX "T4")
3
2
1
1
3
IPAK
TO-251
(Suffix "-1")
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
APPLICATIONS
s
MEDIUM CURRENT, HIGH SPEED
SWITCHING
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
500
500
鹵
30
2.2
1.4
8.8
45
0.36
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
March 1996
1/6

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    Fuse
    ETC
  • 英文版
    Fuse
    ETC
  • 英文版
    Fuse
    ETC
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    SIRECTIFIER
  • 英文版
    This axial leaded strap product is designed to provide relia...
    LITTELFUSE
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    Single-Chip Worldwide iDTV Processor
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Single-Chip Worldwide iDTV Processor
    ST
  • 英文版
    Low voltage fast-switching PNP power transistor
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
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