STD20NF06LAG Datasheet

IC型號：
STD20NF06LAG
PDF描述：
暫無描述
文件大?。?/label>
343.65KB
PDF頁數(shù)：
13頁
芯片廠家：
STMICROELECTRONICS

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STD20NF06

N-channel 60V - 0.032鈩?- 24A - DPAK

STripFET鈩?II Power MOSFET

General features

Type

STD20NF06

鈻?/div>

DSS

60V

DS(on)

<0.040鈩?/div>

24A

Exceptional dv/dt capability

Application oriented characterization

100% avalanche tested

DPAK

Description

This Power MOSFET is the latest development of

STMicroelectronics unique "Single Feature

Size鈩?quot; strip-based process. The resulting

transistor shows extremely high packing density

for low on-resistance, rugged avalanche

characteristics and less critical alignment steps

therefore a remarkable manufacturing

reproducibility.

Internal schematic diagram

Applications

鈻?/div>

Switching application

Order code

Part number

STD20NF06T4

Marking

D20NF06

Package

DPAK

Packaging

Tape & reel

February 2007

Rev 5

1/13

www.st.com

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
價格
1 : ￥12.32000剪切帶（CT）2,500 : ￥5.22264卷帶（TR）
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET? II
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
40 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
13 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D-PAK（TO-252）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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型號

版本

描述

廠商

下載
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ETC

STD2
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Fuse

ETC

STD20
STD25

英文版

Fuse

ETC

STD25
STD27

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STD27
STD200

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This axial leaded strap product is designed to provide relia...

STD200
STD200

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SIRECTIFIER

STD200
STD253

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Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

SIRECTIFIER

STD253
STD2000

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Single-Chip Worldwide iDTV Processor

STD2000
STD2000

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Single-Chip Worldwide iDTV Processor

ST

STD2000
STD2805

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STD2805
STD2N50

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STD2N50
STD2N50

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STD2N50
STD20N06

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STD20N06
STD20N06

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STD20N06
STD20N20

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STD20N20
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