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STD12NE06 Datasheet

  • STD12NE06

  • N - CHANNEL 60V - 0.08ohm - 12A - IPAK/DPAK SINGLE FEATURE S...

  • 10頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
STD12NE06
N - CHANNEL 60V - 0.08鈩?- 12A - IPAK/DPAK
SINGLE FEATURE SIZE鈩?POWER MOSFET
TYPE
STD12NE06
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS(on)
< 0.10
鈩?/div>
I
D
12 A
s
TYPICAL R
DS(on)
= 0.08
鈩?/div>
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100 % AVALANCHE TESTED
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
ADD SUFFIX 鈥漈4鈥?FOR ORDERING IN TAPE
& REEL
IPAK
TO-251
(Suffix 鈥?1鈥?
3
2
1
1
3
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique 鈥漇ingle Feature
Size鈩⑩€?strip-based process. The resulting transi-
stor shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s
DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)
s
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s
SYNCHRONOUS RECTIFICATION
DPAK
TO-252
(Suffix 鈥漈4鈥?
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symb ol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
dv/dt(
1
)
T
st g
T
j
March 1999
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating F actor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage T emperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
60
60
鹵
20
12
8
48
35
0.23
6
-65 to 175
175
(
1
) I
SD
鈮?/div>
12 A, di/dt
鈮?/div>
200 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V/ns
o
o
C
C
1/10
(鈥? Pulse width limited by safe operating area

STD12NE06 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • N-Channel

  • 60 V

  • 12 A

  • 0.08 Ohms

  • SMD/SMT

  • TO-252

  • Tube

  • 35 W

  • 75

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Fuse
    ETC
  • 英文版
    Fuse
    ETC
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    STD110|Data Sheet
    ETC
  • 英文版
    STD111|Data Sheet
    ETC
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    This axial leaded strap product is designed to provide relia...
    LITTELFUSE
  • 英文版
    Silicon Epitaxial Planar Transistor
    BILIN
  • 英文版
    NPN Silicon Transistor
    AUK
  • 英文版
    NPN Silicon Transistor
    AUK
  • 英文版
    NPN Silicon Transistor
    AUK [AUK c...
  • 英文版
    STD130|Data Sheet
    ETC
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    STD131|Data Sheet
    ETC
  • 英文版
    STD150|Data Sheet
    ETC
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    This axial leaded strap product is designed to provide relia...
    LITTELFUSE
  • 英文版
    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
  • 英文版
    This axial leaded strap product is designed to provide relia...
    LITTELFUSE
  • 英文版
    Epitaxial planar NPN silicon transistor
    AUK

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