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STD123N Datasheet

  • STD123N

  • Epitaxial planar NPN silicon transistor

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Semiconductor
STD123N
Epitaxial planar NPN silicon transistor
Description
鈥?/div>
High current application
Features
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鈥?/div>
Extremely low collector saturation voltage: V
CE(sat)
=0.1V(Typ.) @ I
C
=500mA, I
B
=50mA
Suitable for low voltage large current drivers
High DC current gain and large current capability
Low on resistance : R
ON
=0.6鈩?Max.) @ I
B
=1mA
Ordering Information
Type NO.
STD123N
Marking
STD123
Package Code
TO-92N
Outline Dimensions
unit :
mm
4.20~4.40
4.20~4.40
2.25 Max.
0.52 Max.
13.50~14.50
0.90 Max.
1.27 Typ.
2.14 Typ.
1 2 3
3.55 Typ
3.09~3.29
0.40 Max.
PIN Connections
1. Emitter
2. Base
3. Collector
KSD-T0C004-001
1

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    Fuse
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    ETC
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    STD111|Data Sheet
    ETC
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    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
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    This axial leaded strap product is designed to provide relia...
    LITTELFUSE
  • 英文版
    Silicon Epitaxial Planar Transistor
    BILIN
  • 英文版
    NPN Silicon Transistor
    AUK
  • 英文版
    NPN Silicon Transistor
    AUK
  • 英文版
    NPN Silicon Transistor
    AUK [AUK c...
  • 英文版
    STD130|Data Sheet
    ETC
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    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
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    ETC
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    STD150|Data Sheet
    ETC
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    Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
    SIRECTIFIER
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