STD10PF06T4 Datasheet

IC型號：
STD10PF06T4
PDF描述：
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | ...
文件大?。?/label>
96.45KB
PDF頁數(shù)：
9頁
芯片廠家：
ETC

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P-CHANNEL 60V - 0.18

鈩?/div>

- 10A IPAK/DPAK

STripFET鈩?II POWER MOSFET

TYPE

STD10PF06

DSS

60 V

DS(on)

< 0.20

鈩?/div>

10 A

TYPICAL R

(on) = 0.18

鈩?/div>

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

100% AVALANCHE TESTED

LOW GATE CHARGE

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX 鈥?1鈥?

SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX 鈥淭4鈥?

DPAK

TO-252

(Suffix 鈥淭4鈥?

IPAK

TO-251

(Suffix 鈥?1鈥?

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of

STMicroelectronis unique 鈥漇ingle Feature Size鈩?鈥?strip-

based process. The resulting transistor shows extremely

high packing density for low on-resistance, rugged

avalanche characteristics and less critical alignment

steps

therefore

remarkable

manufacturing

reproducibility.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

MOTOR CONTROL

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

DGR

DM(

鈥?

tot

dv/dt

(1)

stg

Parameter

Drain-source Voltage (V

= 0)

Drain-gate Voltage (R

= 20 k鈩?

Gate- source Voltage

Drain Current (continuous) at T

= 25擄C

Drain Current (continuous) at T

= 100擄C

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T

= 25擄C

Derating Factor

Peak Diode Recovery voltage slope

Storage Temperature

Max. Operating Junction Temperature

Value

鹵

0.27

-65 to 175

175

(1) I

鈮?0A,

di/dt

鈮?00A/碌s,

鈮?/div>

(BR)DSS

, T

鈮?/div>

JMAX

Unit

W/擄C

V/ns

擄C

(

鈥?

Pulse width limited by safe operating area.

Note: P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current

has to be reversed

March 2002

1/9

其它有關(guān)文件
STD10PF06 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-2456-6

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型號

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描述

廠商

下載
STD10

英文版

Fuse

ETC

STD10
STD16

英文版

Fuse

ETC

STD16
STD18

英文版

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

SIRECTIFIER

STD18
STD110

英文版

STD110|Data Sheet

ETC

STD110
STD111

英文版

STD111|Data Sheet

ETC

STD111
STD116

英文版

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

SIRECTIFIER

STD116
STD120

英文版

This axial leaded strap product is designed to provide relia...

STD120
STD123

英文版

Silicon Epitaxial Planar Transistor

BILIN

STD123
STD123

英文版

NPN Silicon Transistor

AUK

STD123
STD129

英文版

NPN Silicon Transistor

AUK

STD129
STD129

英文版

NPN Silicon Transistor

AUK [AUK c...

STD129
STD130

英文版

STD130|Data Sheet

ETC

STD130
STD130

英文版

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

SIRECTIFIER

STD130
STD131

英文版

STD131|Data Sheet

ETC

STD131
STD150

英文版

STD150|Data Sheet

ETC

STD150
STD165

英文版

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

SIRECTIFIER

STD165
STD175

英文版

This axial leaded strap product is designed to provide relia...

STD175
STD181

英文版

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

SIRECTIFIER

STD181
STD120S

英文版

This axial leaded strap product is designed to provide relia...

STD120S
STD123N

英文版

Epitaxial planar NPN silicon transistor

AUK

STD123N

STD10PF06T4 Datasheet

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