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STB50NE10_06 Datasheet

  • STB50NE10_06

  • N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSF...

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STB50NE10
N-channel 100V - 0.021鈩?- 50A - D
2
PAK
STripFET鈩?Power MOSFET
General features
Type
STB50NE10
鈻?/div>
鈻?/div>
鈻?/div>
鈻?/div>
V
DSS
100V
R
DS(on)
<0.027鈩?/div>
I
D
50A
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge at 100 擄C
Application oriented characterization
3
1
D
2
PAK
Description
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size鈩?quot;
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a
remarkable manufacturing reproducibility.
Internal schematic diagram
Applications
鈻?/div>
Switching application
Order codes
Part number
STB50NE10T4
Marking
B50NE10
Package
D
2
PAK
Packaging
Tape & reel
June 2006
Rev 5
1/13
www.st.com
13

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    GPS RF FRONT-END IC
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    GPS RF FRONT-END IC
    STMicro
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    GPS RF FRONT-END IC
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  • 英文版
    350 to 400 MHz FSK/ASK receiver (ST-RECORD01 family)
    STMICROELECTRONICS
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
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    N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFE...
    STMICROELECTRONICS
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    N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFE...
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