STB30NE06LT4 Datasheet

IC型號：
STB30NE06LT4
PDF描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | ...
文件大?。?/label>
49.87KB
PDF頁數(shù)：
6頁
芯片廠家：
ETC

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N-CHANNEL 60V - 0.35

鈩?/div>

- 30A D

PAK

STripFET鈩?POWER MOSFET

TYPE

STB30NE06L

DSS

60 V

DS(on)

<0.05

鈩?/div>

30 A

TYPICAL R

(on) = 0.035鈩?/div>

100% AVALANCHE TESTED

LOW GATE CHARGE 100

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT

SALES OFFICE

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of

STMicroelectronis unique 鈥漇ingle Feature Size鈩?鈥?strip-

based process. The resulting transistor shows extremely

high packing density for low on-resistance, rugged

avalanche characteristics and less critical alignment

steps

therefore

remarkable

manufacturing

reproducibility.

PAK

TO-263

(suffix鈥淭4鈥?

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

DC MOTOR CONTROL

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

DGR

(鈥?

tot

stg

Parameter

Drain-source Voltage (V

= 0)

Drain-gate Voltage (R

= 20 k鈩?

Gate- source Voltage

Drain Current (continuos) at T

= 25擄C

Drain Current (continuos) at T

= 100擄C

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T

= 25擄C

Derating Factor

Storage Temperature

Max. Operating Junction Temperature

Value

鹵20

120

0.53

鈥?0 to 175

175

Unit

W/擄C

擄C

(

鈥?/div>

)Pulse width limited by safe operating area.

November 2000

1/6

制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
60 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
30 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.05 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
D2PAK
封裝
Reel
下降時間
20 ns
最小工作溫度
- 60 C
功率耗散
80 W
上升時間
105 ns
工廠包裝數(shù)量
1000
典型關(guān)閉延遲時間
50 ns

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型號

版本

描述

廠商

下載
STB3015

英文版

N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO P...

STB3015
STB3015

英文版

N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO P...

STMICROELECTRON...

STB3015
STB3300

英文版

RF Modulator/Demodulator

ETC

STB3300
STB3015L

英文版

N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO P...

STB3015L
STB3015L

英文版

N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO P...

STMICROELECTRON...

STB3015L
STB3020L

英文版

N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - D2PAK STripFET] POWER MOS...

STB3020L
STB3020L

英文版

N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - D2PAK STripFET] POWER MOS...

STMICROELECTRON...

STB3020L
STB30N10

英文版

N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTO...

STB30N10
STB30N10

英文版

N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTO...

STMICROELECTRON...

STB30N10
STB33N10

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) |...

ETC

STB33N10
STB3NA80

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STB3NA80
STB3NA80

英文版

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STMICROELECTRON...

STB3NA80
STB3NB60

英文版

N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOS...

STB3NB60
STB3NB60

英文版

N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOS...

STMICROELECTRON...

STB3NB60
STB3NC60

英文版

N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSF...

STB3NC60
STB3NC60

英文版

N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSF...

STMICROELECTRON...

STB3NC60
STB3NC90

英文版

N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH...

STB3NC90
STB3NC90

英文版

N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH...

STMICROELECTRON...

STB3NC90
STB3055L2

英文版

N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transis...

SAMHOP

STB3055L2
STB30NF10

英文版

N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW G...

STB30NF10

STB30NE06LT4 Datasheet

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