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STA508A Datasheet

  • STA508A

  • MOS FET Array

  • 1頁(yè)

  • SANKEN   SANKEN

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

MOS FET Array STA508A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
*
1
P
T
Ratings
120
鹵20
鹵6
鹵10
4 (Ta = 25潞C)
20 (Tc = 25潞C)
E
AS
*
2
80
mJ
Tch
潞C
150
Tstg
潞C
鈥?5 to +150
*1 P
W
100碌s, duty 1%
*2 V
DD
= 12V, L = 10mH, unclamped, R
G
= 50鈩?/div>
(Ta=25潞C)
Unit
V
V
A
A
W
W
Electrical Characteristics
Symbol
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(yfs)
R
DS (ON)
Ciss
Coss
Crss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
Test Conditions
I
D
= 100碌A(chǔ), V
GS
= 0V
V
GS
=
鹵20V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 250碌A(chǔ)
V
DS
= 10V, I
D
= 4.0A
V
GS
= 10V, I
D
= 4.0A
V
GS
= 4V, I
D
= 4.0A
V
DS
= 10V
f = 1.0MHz
V
GS
= 0V
I
D
= 4A
V
DD
12V
R
L
= 3鈩?/div>
V
GS
= 5V
R
G
= 50鈩?/div>
I
SD
= 6A, V
GS
= 0V
min
120
鹵5
100
2.0
0.15
0.2
400
130
30
100
300
250
200
1.0
0.2
0.25
Ratings
typ
max
(Ta=25潞C)
Unit
External Dimensions
STA4 (LF412)
25.25
鹵0.2
1.0
5.0
1.5
V
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
V
S
鈩?/div>
鈩?/div>
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
鹵0.2
鹵0.2
9.0
鹵0.2
b
a
11.3
3.5
鹵0.5
2.3
1.0
鹵0.25
0.5
鹵0.15
(2.54)
0
鹵0.3
0
鹵0.3
9 鈥?.54=22.86
鹵0.05
鹵0.15
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
S G D G D G D G D S
a) Type No.
b) Lot No.
(Unit: mm)
s
I
D
鈥?/div>
V
DS
Characteristics
16
V
GS
=
10V
s
I
D
鈥?/div>
V
GS
Characteristics
10
V
DS
=
10V
s
R
DS
(on) 鈥?/div>
I
D
Characteristics
0.30
0.25
V
GS
=
4V
12
8
V
GS
=
4.5V
6
8
R
DS
(on)
(鈩?
0.20
0.15
V
GS
=
10V
I
D
(A)
I
D
(A)
4
4
2
Ta
= 鈥?5潞C
25潞C
75潞C
150潞C
0.10
0.05
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
2
4
6
0.5
8
1.2
4.0
C1.5
鹵0.5
鹵0.2
鹵0.2
10
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
s
R
DS
(on) 鈥?/div>
T
C
Characteristics
0.45
0.40
I
D
=
4A
V
GS
=
4V
s
R
e (yfs) 鈥?/div>
I
D
Characteristics
50
s
I
DR
鈥?/div>
V
SD
Characteristics
6
V
GS
=
0V
5
10
0.30
4
Ta
=
150潞C
75潞C
25潞C
鈥?5潞C
R
DS
(on)
(鈩?
Re
(yfs)
(S)
5
I
DR
(A)
10
0.20
V
GS
=
10V
3
2
1
0
1
0.5
0.10
Ta
= 鈥?5潞C
25潞C
75潞C
150潞C
0
鈥?0
0
50
100
150
0.1
0.05 0.1
0.5
1
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Tc (潞C)
I
D
(A)
V
SD
(V)
s
Capacitance
鈥?/div>
V
DS
Characteristics
1000
500
Ciss
s
S
afe Operating Area (single pulse)
20
10
5
I
D
(pulse)
max
I
D
(
DC
)
max
(Ta = 25潞C)
10
0
碌
s
Equivalent Circuit Diagram
Capacitance (pF)
I
D
(A)
V
GS
=
0V
f
=
1MHz
R
DS
(on)
LIMITED
10
10
0m
1m
m
s
s
3
5
7
9
100
Coss
1
0.5
s
2
4
6
8
50
1
10
Crss
10
0
10
20
30
40
50
0.1
1
5
10
50
100 200
V
DS
(V)
V
DS
(V)
79

STA508A 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 在售

  • -

  • 散裝

  • 在售

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 4 個(gè) N 通道

  • 標(biāo)準(zhǔn)

  • 120V

  • 6A（Ta）

  • 200 毫歐 @ 4A，10V

  • 2V @ 250μA

  • -

  • 400pF @ 10V

  • 4W（Ta），20W（Tc）

  • 150°C

  • 通孔

  • 10-SIP

  • 10-SIP

STA508A相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    30V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    30V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    40V 3.5A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    ETC
  • 英文版
    40V 3.5A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    40V 3.5A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    ST
  • 英文版
    40V 4A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    ETC
  • 英文版
    40V 4A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    ST
  • 英文版
    N-channel General purpose
    SANKEN
  • 英文版
    N-channel General purpose
    SANKEN [Sa...
  • 英文版
    40V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    40V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    40V 4A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    40V 4A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    40V 4.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    40V 4.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    MOS FET Array
    SANKEN
  • 英文版
    MOS FET Array
    SANKEN [Sa...
  • 英文版
    60V 5A POWER FULL BRIDGE
    ETC
  • 英文版
    60V 5A POWER FULL BRIDGE
    STMicroelectronics
  • 英文版
    200W MONO BASH POWER AMPLIFIER
    STMICROELECTRONICS

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