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SSS45N20B Datasheet

  • SSS45N20B

  • 200V N-Channel MOSFET

  • 915.48KB

  • 10頁

  • FAIRCHILD

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SSP45N20B/SSS45N20B
November 2001
SSP45N20B/SSS45N20B
200V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild鈥檚 proprietary,
planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switching DC/DC converters,
switch mode power supplies, DC-AC converters for
uninterrupted power supply and motor control.
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
35A, 200V, R
DS(on)
= 0.065鈩?@V
GS
= 10 V
Low gate charge ( typical 133 nC)
Low Crss ( typical 120 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
D
G
G DS
TO-220
SSP Series
GD S
TO-220F
SSS Series
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
T
C
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
- Continuous (T
C
= 25擄C)
Drain Current
- Continuous (T
C
= 100擄C)
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
SSP45N20B
200
35
22.2
140
鹵
30
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
SSS45N20B
35 *
22.2 *
140 *
650
35
17.6
5.5
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/擄C
擄C
擄C
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T
C
= 25擄C)
- Derate above 25擄C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
176
1.41
-55 to +150
300
57
0.45
* Drain current limited by maximum junction temperature.
Thermal Characteristics
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.
SSP45N20B
0.71
0.5
62.5
SSS45N20B
2.2
--
62.5
Units
擄C/W
擄C/W
擄C/W
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2001

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    600V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    600V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2.3A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2.3A I(D) ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.3A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.3A I(D) ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) ...
  • 英文版
    600V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    600V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) ...
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) ...
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
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