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SSS2N60A Datasheet

  • SSS2N60A

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.3A I(D) ...

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Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 25
碌A(chǔ)
(Max.) @ V
DS
= 600V
Lower R
DS(ON)
: 3.892
鈩?/div>
(Typ.)
SSS2N60A
BV
DSS
= 600 V
R
DS(on)
= 5
鈩?/div>
I
D
= 1.3 A
TO-220F
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
o
C )
Continuous Drain Current (T
C
=100 C )
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
o
C )
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8鈥?from case for 5-seconds
2
O
1
O
1
O
3
O
o
Value
600
1.3
0.82
1
O
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
o
C
6
+ 30
_
138
1.3
2.3
3.0
23
0.18
- 55 to +150
o
C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃
JC
R
胃
JA
Characteristic
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
Max.
5.5
62.5
Units
o
C/W
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.5A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.5A I(D) ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.3A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    600V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    600V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.5A I(D) ...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.5A I(D) ...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.5A I(D) ...

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