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SSP4N60AS Datasheet

  • SSP4N60AS

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...

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  • 7頁

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Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 25
碌
A (Max.) @ V
DS
= 600V
Lower R
DS(ON)
: 2.037
鈩?/div>
(Typ.)
SSP4N60AS
BV
DSS
= 600 V
R
DS(on)
= 2.5
鈩?/div>
I
D
= 4 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25 C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
o
C)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
o
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 鈥?from case for 5-seconds
2
O
1
O
1
O
3
O
o
Value
600
4
2.5
1
O
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
C
o
16
+ 30
_
262
4
10
3.0
100
0.8
- 55 to +150
o
C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃
JC
R
胃
CS
R
胃
JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
1.25
--
62.5
o
Units
C/W
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    600V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    600V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 700V, 2.5ohm, 1-Elem...
    SAMSUNG
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    Samsung Electro...

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