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SSM6N17FU Datasheet

  • SSM6N17FU

  • High Speed Switching Applications Analog Switch Applications

  • 5頁

  • TOSHIBA

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SSM6N17FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM6N17FU
High Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
路
路
路
Suitable for high-density mounting due to compact package
High drain-source voltage
High speed switching
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C) (Q1, Q2 Common)
Characteristics
Drain-Source voltage
Gate-Source voltage
Drain current
DC
Pulse
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note)
T
ch
T
stg
Rating
50
鹵7
100
200
200
150
鈭?5~150
Unit
V
V
mA
mW
擄C
擄C
Drain power dissipation (Ta = 25擄C)
Channel temperature
Storage temperature range
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
SC-70 (6pin)
2-2J1C
Note: Total rating,Mounted on FR4 board
2
(25.4 mm 脳 25.4 mm 脳 1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm 脳 6)
0.4 mm
0.8 mm
Weight: 6.8 mg (typ.)
Marking
6
5
4
Equivalent Circuit
6
5
4
DM
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
This transistor is a electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1
2002-04-10

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