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SSM6N04FU Datasheet

  • SSM6N04FU

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

  • 177.49KB

  • 5頁

  • TOSHIBA

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SSM6N04FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM6N04FU
High Speed Switch Applications
路
路
路
路
With built-in gate-source resistor: R
GS
= 1 M鈩?(typ.)
2.5 V gate drive
Low gate threshold voltage: V
th
= 0.7~1.3 V
Small package
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Drain-source voltage
Gate-source voltage
DC drain current
Drain power dissipation
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
(Note)
T
ch
T
stg
Rating
20
10
100
200
150
-55~150
Unit
V
V
mA
mW
擄C
擄C
Note: Total rating
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-2J1C
Weight: 6.8 mg (typ.)
Marking
Pin Assignment
(top view)
(Q1, Q2 common)
Equivalent Circuit
1
2003-03-28

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