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SSM6L09FU Datasheet

  • SSM6L09FU

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type

  • 8頁

  • TOSHIBA

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SSM6L09FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type
SSM6L09FU
Power Management Switch
High Speed Switching Applications
Unit: mm
路
路
Small package
Low on resistance
Q1: R
on
= 0.7
鈩?/div>
(max) (@V
GS
= 10 V)
Q2: R
on
= 2.7
鈩?/div>
(max) (@V
GS
=
鈭?0
V)
Q1 Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-Source voltage
Gate-Source voltage
Drain current
DC
Pulse
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
Rating
30
鹵20
400
800
Unit
V
V
mA
Q2 Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-Source voltage
Gate-Source voltage
Drain current
DC
Pulse
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
Rating
-30
鹵20
-200
-400
Unit
V
V
mA
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-2J1C
Weight: 6.8 mg (typ.)
Maximum Ratings
(Q1, Q2 common) (Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain power dissipation (Ta
=
25擄C)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
P
D
(Note1)
T
ch
T
stg
Rating
300
150
-55~150
Unit
mW
擄C
擄C
Note1: Total rating, mounted on FR4 board
2
(25.4 mm
麓
25.4 mm
麓
1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm
麓
6) Figure 1.
1
2003-02-19

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