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SSM6J07FU Datasheet

  • SSM6J07FU

  • TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type

  • 140.16KB

  • 5頁

  • TOSHIBA

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SSM6J07FU
TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM6J07FU
Power Management Switch
High Speed Switching Applications
路
路
Small package
Low on resistance
: R
on
= 450 m鈩?(max) (V
GS
=
鈭?0
V)
: R
on
= 800 m鈩?(max) (V
GS
=
鈭?
V)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain power dissipation
Channel temperature
Storage temperature range
DC
Pulse
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
stg
Rating
-30
鹵20
-0.8
-1.6
300
150
-55~150
Unit
V
V
A
mW
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-2J1D
Note 1: Mounted on FR4 board
2
(25.4 mm
麓
25.4 mm
麓
1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm
麓
6)
Weight: 6.8 mg (typ.)
Marking
Equivalent Circuit
Figure 1:
(top view)
25.4 mm
麓
25.4 mm
麓
1.6 t,
Cu Pad: 0.32 mm
2
麓
6
0.4 mm
6
5
4
6
5
4
0.8 mm
KDF
1
2
3
1
2
3
1
2002-01-24

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