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SSM3K05FU Datasheet

  • SSM3K05FU

  • TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHALLEL MOS TYPE

  • 5頁

  • TOSHIBA

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SSM3K05FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K05FU
High Speed Switching Applications
路
路
路
Small package
Low on resistance : R
on
= 0.8
鈩?/div>
max (@V
GS
= 4 V)
: R
on
=
1.2 鈩?/div>
max (@V
GS
= 2.5 V)
Low gate threshold voltage
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
DC
Pulse
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note 1)
T
ch
T
stg
Rating
20
鹵12
400
800
150
150
-55~150
Unit
V
V
mA
Drain power dissipation (Ta
=
25擄C)
Channel temperature
Storage temperature range
mW
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
SC-70
2-2E1E
Note 1: Mounted on FR4 board.
2
(25.4 mm
麓
25.4 mm
麓
1.6 t, Cu pad: 0.6 mm
麓
3)
Weight: 0.006 g (typ.)
Marking
Equivalent Circuit
Handling Precaution
When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment
is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other
objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.
1
2003-03-28

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    High Speed Switching Applications
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
    TOSHIBA
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
    TOSHIBA
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (...
    TOSHIBA
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (...
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1.3A I(D) |...
    ETC
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    HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
    Toshiba
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
    TOSHIBA
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    TOSHIBA [T...
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