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SSM3J01F Datasheet

  • SSM3J01F

  • High Speed Switching Applications

  • 6頁

  • TOSHIBA

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SSM3J01F
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM3J01F
High Speed Switching Applications
路
路
路
Small package
Low on resistance : Ron = 0.4
鈩?/div>
(max) (V
GS
=
鈭?
V)
: Ron = 0.6
鈩?/div>
(max) (V
GS
=
鈭?.5
V)
Low gate threshold voltage
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Gate-source voltage
DC
Drain current
Pulse
Drain power dissipation (Ta
=
25擄C)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
stg
Rating
-30
鹵10
-700
-1400
200
150
-55~150
Unit
V
V
mA
mW
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
TO-236MOD
SC-59
2-3F1F
Weight: 0.012 g (typ.)
Marking
Equivalent Circuit
Handling Precaution
When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment
is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other
objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.
1
2003-03-27

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    High Speed Switching Applications
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  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1.3A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
    Toshiba
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    TOSHIBA
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