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SPW32N50C3 Datasheet

  • SPW32N50C3

  • Cool MOS⑩ Power Transistor

  • 11頁

  • INFINEON   INFINEON

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SPW32N50C3
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Periodic avalanche rated
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
Ultra low effective capacitances
鈥?/div>
Improved transconductance
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
560
0.11
32
P-TO247
V
鈩?/div>
A
Type
SPW32N50C3
Package
P-TO247
Ordering Code
Q67040-S4613
Marking
32N50C3
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
I
D
Value
Unit
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
A
32
20
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 10 A,
V
DD
= 50 V
I
D puls
E
AS
96
1100
1
20
鹵20
鹵
30
mJ
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
E
AR
I
D
= 20 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
I
AR
Gate source voltage
V
GS
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C
= 25擄C
A
V
W
擄C
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
284
-55... +150
Operating and storage temperature
Rev. 2.0
Page 1
2004-03-16

SPW32N50C3 產(chǎn)品屬性

  • SPW32N50C3

  • CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

  • 240

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • CoolMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 560V

  • 32A

  • 110 毫歐 @ 20A，10V

  • 3.9V @ 1.8mA

  • 170nC @ 10V

  • 4200pF @ 25V

  • 284W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • PG-TO247-3

  • 管件

  • SP000014625SPW32N50C3-NDSPW32N50C3INSPW32N50C3XSPW32N50C3XK

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