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SPW20N60C3 Datasheet

  • SPW20N60C3

  • Cool MOS™ Power Transistor

  • 12頁

  • INFINEON   INFINEON

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Final data
SPW20N60C3
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
650
0.19
20.7
P-TO247
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Periodic avalanche rated
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
High peak current capability
鈥?/div>
Improved transconductance
V
鈩?/div>
A
Type
SPW20N60C3
Package
P-TO247
Ordering Code
Q67040-S4406
Marking
20N60C3
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
I
D
Value
Unit
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
A
20.7
13.1
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 10 A,
V
DD
= 50 V
I
D puls
E
AS
62.1
690
1
20
6
鹵20
鹵
30
mJ
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
E
AR
I
D
= 20 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
I
AR
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
S=20.7A,
V
DS=480V,
T
j=125擄C
A
V/ns
V
W
擄C
2003-09-17
Gate source voltage static
V
GS
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
Page 1
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C = 25擄C
Operating and storage temperature
208
-55... +150

SPW20N60C3 產品屬性

  • SPW20N60C3

  • CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

  • 240

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • CoolMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 650V

  • 20.7A

  • 190 毫歐 @ 13.1A，10V

  • 3.9V @ 1mA

  • 114nC @ 10V

  • 2400pF @ 25V

  • 208W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • PG-TO247-3

  • 管件

  • SP000013729SPW20N60C3INSPW20N60C3XK

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