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SPW17N80C2 Datasheet

  • SPW17N80C2

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 17A I(D) |...

  • 141.39KB

  • 11頁(yè)

  • ETC

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Preliminary data
SPW17N80C2
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
路
路
路
路
路
路
C OLMOS
O
Power Semiconductors
New revolutionary high voltage technology
Worldwide best
R
DS(on)
in TO 247
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme dv/dt rated
Ultra low effective capacitances
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
800
290
17
P-TO247
V
m
W
A
Type
SPW17N80C2
Package
P-TO247
Ordering Code
Q67040-S4359
Marking
SPW17N80C2
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Symbol
Value
17
11
51
670
0.5
17
6
鹵20
208
-55... +150
Unit
A
I
D
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
=4A,
V
DD
=50V
I
D puls
E
AS
E
AR
I
AR
dv/dt
mJ
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax1)
I
D
=17A,
V
DD
=50V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
=17A,
V
DS
<
V
DD
, di/dt=100A/碌s,
T
jmax
=150擄C
A
V/ns
V
W
擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 擄C
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
Page 1
Operating and storage temperature
2000-05-29

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