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SPU30N03S2L-10 Datasheet

  • SPU30N03S2L-10

  • OptiMOS Power-Transistor

  • 548.34KB

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
SPU30N03S2L-10
Feature
N-Channel
Logic Level
Low on-resistance
R
DS(on)
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175擄C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
Ideal for fast switching applications
Package
P-TO251
Ordering Code
Q67042-S4042
Marking
2N03L10
I
D
30
P-TO251
A
Type
SPU30N03S2L-10
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
=25擄C,
1)
T
C
=100擄C
Symbol
I
D
Value
30
30
Unit
A
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
120
150
6
鹵20
82
-55... +175
55/175/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv/dt
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
I
S
=30A,
V
DS
=24V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1

I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Page 1
2002-02-11


OptiMOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
30
10
V
m










SPU30N03S2L-10 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • OptiMOS?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 30 V

  • 30A（Tc）

  • 4.5V，10V

  • 10 毫歐 @ 30A，10V

  • 2V @ 50μA

  • 39.4 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 1460 pF @ 25 V

  • -

  • 82W（Tc）

  • -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 通孔

  • P-TO251-3-1

  • TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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