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SPU30N03S2-08 Datasheet

  • SPU30N03S2-08

  • OptiMOS Power-Transistor

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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SPU30N03S2-08
OptiMOS
廬
Power-Transistor
Feature
鈥?/div>
N-Channel
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
30
8.2
30
P- TO251 -3-1
V
m鈩?/div>
A
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Low On-Resistance
R
DS(on)
鈥?/div>
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
鈥?/div>
Superior thermal resistance
鈥?/div>
175擄C operating temperature
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
SPU30N03S2-08
Package
P- TO251 -3-1
Ordering Code
Q67042-S4140
Marking
2N0308
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
1)
TC
=25擄C
1)
Value
30
30
Unit
A
I
D
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
120
250
12
6
鹵20
125
-55... +175
55/175/56
kV/碌s
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, single pulse
I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25鈩?/div>
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode dv/dt
I
S
=30A,
V
DS
=24V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2003-04-30

SPU30N03S2-08 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • Digi-Key 停止提供

  • OptiMOS?

  • 管件

  • Digi-Key 停止提供

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 30 V

  • 30A（Tc）

  • 10V

  • 8.2 毫歐 @ 30A，10V

  • 4V @ 85μA

  • 47 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 2170 pF @ 25 V

  • -

  • 125W（Tc）

  • -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 通孔

  • P-TO251-3-1

  • TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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