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SPU08N10 Datasheet

  • SPU08N10

  • SIPMOS Power Transistor

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary Data
SIPMOS廬 Power Transistor
Features
鈥?/div>
N channel
鈥?/div>
SPD 08N10
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
0.3
8.4
V
鈩?/div>
A
Enhancement mode
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
SPD08N10
SPU08N10
Package
P-TO252
P-TO251
Ordering Code
Packaging
Pin 1
G
Pin 2 Pin 3
D
S
Q67040-S4126-A2 Tape and Reel
Q67040-S4118-A2 Tube
Maximum Ratings,
at
Tj
= 25 藲C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
Value
8.4
5.4
33.6
30
4
6
鹵20
40
-55... +175
55/150/56
Unit
A
I
D
T
C
= 25 藲C
T
C
= 100 藲C
Pulsed drain current
I
Dpulse
E
AS
E
AR
dv/dt
T
C
= 25 藲C
Avalanche energy, single pulse
mJ
I
D
= 8.4 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
kV/碌s
V
W
藲C
I
S
= 8.4 A,
V
DS
= 80 V, di/dt = 200 A/碌s
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
T
C
= 25 藲C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Data Sheet
1
05.99

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