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SPP80N10L Datasheet

  • SPP80N10L

  • SIPMOS Power-Transistor

  • 8頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
SPI80N10L
SPP80N10L,SPB80N10L
SIPMOS
餂?/div>
Power-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175擄C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
14
80
P-TO220-3-1
V
A
Type
SPP80N10L
SPB80N10L
SPI80N10L
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
Ordering Code
Q67042-S4173
Q67042-S4171
Q67042-S4172
Marking
80N10L
80N10L
80N10L
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
=25擄C
T
C
=100擄C
Symbol
I
D
Value
80
58
Unit
A
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
320
700
25
6
鹵20
250
-55... +175
55/175/56
kV/碌s
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
=80A,
V
DS
=0V,
di/dt=200A/碌s
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1

I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
2002-08-14







m

SPP80N10L 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • SIPMOS?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 100 V

  • 80A（Tc）

  • 4.5V，10V

  • 14 毫歐 @ 58A，10V

  • 2V @ 2mA

  • 240 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 4540 pF @ 25 V

  • -

  • 250W（Tc）

  • -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 通孔

  • PG-TO220-3-1

  • TO-220-3

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