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SPP70N10L Datasheet

  • SPP70N10L

  • SIPMOS Power-Transistor

  • 515.84KB

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
Feature
SIPMOS
餂?/div>
=
Power-Transistor
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175擄C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
16
70
P-TO220-3-1
V
A
Type
SPP70N10L
SPB70N10L
SPI70N10L
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
Ordering Code
Q67040-S4175
Q67040-S4170
Q67060-S7428
Marking
70N10L
70N10L
70N10L
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
=25擄C
T
C
=100擄C
Symbol
I
D
Value
70
50
Unit
A
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
Page 1
280
700
25
6
鹵20
250
-55... +175
55/175/56
2001-08-24
kV/碌s
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
=70A,
V
DS
=0V,
di/dt=200A/碌s
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1

I
D
=70 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25







m

SPP70N10L 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 100 V

  • +/- 20 V

  • 70 A

  • 16 m Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Tube

  • 95 ns

  • - 55 C

  • 250 W

  • 250 ns

  • 500

  • 250 ns

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