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SPP35N10 Datasheet

  • SPP35N10

  • SIPMOS Power-Transistor

  • 482.62KB

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
SPI35N10
SPP35N10,SPB35N10
SIPMOS
餂?/div>
Power-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
175擄C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
44
35
P-TO220-3-1
V
A
Type
SPP35N10
SPB35N10
SPI35N10
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
Ordering Code
Q67042-S4123
Q67042-S4103
Q67042-S4124
Marking
35N10
35N10
35N10
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
=25擄C
T
C
=100擄C
Symbol
I
D
Value
35
26.4
Unit
A
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
140
245
6
鹵20
150
-55... +175
55/175/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv/dt
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
I
S
=35A,
V
DS
=80V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1

I
D
=35 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Page 1
2002-01-31






m

SPP35N10 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 100 V

  • +/- 20 V

  • 35 A

  • 44 m Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220

  • Tube

  • 23 ns

  • 23 S / 12 S

  • - 55 C

  • 150 W

  • 63 ns

  • 500

  • 39 ns

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