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SPP15P10P Datasheet

  • SPP15P10P

  • SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • 85.87KB

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Preliminary data
SPP15P10P
SIPMOS
餂?/div>
Small-Signal-Transistor
Feature
鈥?/div>
P-Channel
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
-100
0.24
-15
P-TO220-3-1
V
鈩?/div>
A
Drain
pin 2
Type
SPP15P10P
Package
P-TO220-3-1
Ordering Code
Q67042-S4166
Gate
pin1
Source
pin 3
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
=25擄C
T
C
=100擄C
Symbol
I
D
Value
-15
-10.6
Unit
A
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
-60
230
6
鹵20
128
-55... +175
55/175/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Avalanche energy, single pulse
I
D
=-15 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25鈩?/div>
Reverse diode dv/dt
I
S
=-15A,
V
DS
=-48V, di/dt=-200A/碌s,
T
jmax
=150擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2002-07-26

SPP15P10P 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • SIPMOS?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • P 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 100 V

  • 15A（Tc）

  • 10V

  • 240 毫歐 @ 10.6A，10V

  • 2.1V @ 1.54mA

  • 50 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 1180 pF @ 25 V

  • -

  • 128W（Tc）

  • -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 通孔

  • PG-TO220-3

  • TO-220-3

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