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SPP11N60CFD Datasheet

  • SPP11N60CFD

  • Cool MOS⑩ Power Transistor

  • 12頁

  • INFINEON   INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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SPP11N60CFD
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Periodic avalanche rated
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
High peak current capability
鈥?/div>
Intrinsic fast-recovery body diode
鈥?/div>
Extreme low reverse recovery charge
V
DS
@ T
jmax
R
DS(on)
I
D
650
0.44
11
P-TO220-3-1
V
鈩?/div>
A
Type
SPP11N60CFD
Package
P-TO220-3-1
Ordering Code
Q67040-S4618
Marking
11N60CFD
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 5.5 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax 1)
E
AR
I
D
= 11 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S=11A,
V
DS=480V,
T
j=125擄C
Symbol
I
D
Value
11
7
28
340
0.6
11
40
鹵20
鹵30
125
-55... +150
Unit
A
I
D puls
E
AS
mJ
I
AR
dv/dt
V
GS
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
A
V/ns
V
W
擄C
Gate source voltage
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C = 25擄C
Operating and storage temperature
Page 1
2003-12-23

SPP11N60CFD 產(chǎn)品屬性

  • SPP11N60CFD

  • CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

  • 500

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • CoolMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 650V

  • 11A

  • 440 毫歐 @ 7A，10V

  • 5V @ 500µA

  • 64nC @ 10V

  • 1200pF @ 25V

  • 125W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • PG-TO220-3

  • 管件

  • SP000014533SP000681042SPP11N60CFD-NDSPP11N60CFDINSPP11N60CFDXSPP11N60CFDXK

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