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SPP100N04S2-04 Datasheet

  • SPP100N04S2-04

  • OptiMOS Power-Transistor

  • 8頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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SPP100N04S2-04
SPB100N04S2-04
OptiMOS
廬
Power-Transistor
Feature
鈥?/div>
N-Channel
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
P- TO263 -3-2
40
3.3
100
P- TO220 -3-1
V
m鈩?/div>
A
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
175擄C operating temperature
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
SPP100N04S2-04
SPB100N04S2-04
Package
P- TO220 -3-1
P- TO263 -3-2
Ordering Code
Q67060-S6040
Q67060-S6041
Marking
PN0404
PN0404
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
1)
T
C
=25擄C
Value
100
100
Unit
A
I
D
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
400
810
6
鹵20
300
-55... +175
55/175/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Avalanche energy, single pulse
I
D
=80 ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25鈩?/div>
Reverse diode dv/dt
I
S
=100A,
V
DS
=32V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2003-05-08

SPP100N04S2-04 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • OptiMOS?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 40 V

  • 100A（Tc）

  • 10V

  • 3.6 毫歐 @ 80A，10V

  • 4V @ 250μA

  • 172 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 7220 pF @ 25 V

  • -

  • 300W（Tc）

  • -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 通孔

  • PG-TO220-3-1

  • TO-220-3

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