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SPN04N60S5 Datasheet

  • SPN04N60S5

  • Cool MOS⑩ Power Transistor

  • 10頁

  • INFINEON   INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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SPN04N60S5
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Worldwide best
R
DS(on)
in SOT 223
V
DS
R
DS(on)
I
D
600
0.95
0.8
SOT-223
4
V
鈩?/div>
A
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
Ultra low effective capacitances
鈥?/div>
Improved transconductance
3
2
1
VPS05163
Type
SPN04N60S5
Package
SOT-223
Ordering Code
Q67040-S4211
Marking
04N60S5
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
T
A
= 25 擄C
T
A
= 70 擄C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
T
A
= 25 擄C
Gate source voltage
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
A
= 25擄C
Symbol
I
D
Value
0.8
0.65
Unit
A
I
D puls
V
GS
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
3
鹵20
鹵30
1.8
-55... +150
W
擄C
V
Operating and storage temperature
Rev. 2.1
Page 1
2004-03-30

SPN04N60S5 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 600 V

  • +/- 20 V

  • 0.8 A

  • 950 mOhms

  • Single Dual Drain

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • SOT-223

  • Reel

  • 20 ns

  • - 55 C

  • 1800 mW

  • 20 ns

  • 130 ns

  • SPN04N60S5XT

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