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SPN01N60C3 Datasheet

  • SPN01N60C3

  • Cool MOS⑩ Power Transistor

  • 9頁

  • INFINEON   INFINEON

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Rev. 2.1
SPN01N60C3
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
650
6
0.3
SOT-223
4
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
Ultra low effective capacitances
鈥?/div>
Improved transconductance
V
鈩?/div>
A
3
2
1
VPS05163
Type
Package
Ordering Code
Marking
SPN01N60C3
SOT-223
Q67040-S4208
01N60C3
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
T
A
= 25 擄C
T
A
= 70 擄C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
T
A
= 25 擄C
Gate source voltage static
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
A
= 25擄C
Symbol
I
D
Value
0.3
0.2
Unit
A
I
D puls
V
GS
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
1.6
鹵20
鹵30
1.8
-55... +150
W
擄C
V
Operating and storage temperature
Page 1
2004-03-01

SPN01N60C3 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 650 V

  • +/- 20 V

  • 0.3 A

  • 6000 mOhms

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • SOT-223

  • Reel

  • 30 ns

  • - 55 C

  • 1800 mW

  • 30 ns

  • 60 ns

  • SPN01N60C3XT

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