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SPD30N08S2L-21 Datasheet

  • SPD30N08S2L-21

  • OptiMOS Power-Transistor

  • 266.47KB

  • 8頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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SPD30N08S2L-21
OptiMOS
廬
Power-Transistor
Feature
鈥?/div>
N-Channel
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
75
20.5
30
P- TO252 -3-11
V
m鈩?/div>
A
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Logic Level
鈥?/div>
175擄C operating temperature
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
SPD30N08S2L-21
Package
Ordering Code
P- TO252 -3-11 Q67060-S7414
Marking
2N08L21
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
1)
T
C
=25擄C
Value
30
30
Unit
A
I
D
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
120
240
14
6
鹵20
136
-55... +175
55/175/56
kV/碌s
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, single pulse
I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25鈩?/div>
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode dv/dt
I
S
=30A,
V
DS
=60V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2003-05-09

SPD30N08S2L-21 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • OptiMOS?

  • 卷帶（TR）

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 75 V

  • 30A（Tc）

  • 4.5V，10V

  • 20.5 毫歐 @ 25A，10V

  • 2V @ 80μA

  • 72 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 2130 pF @ 25 V

  • -

  • 136W（Tc）

  • -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 表面貼裝型

  • PG-TO252-3-11

  • TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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