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SPD30N03S2L-10 Datasheet

  • SPD30N03S2L-10

  • OptiMOS Power-Transistor

  • 8頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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SPD30N03S2L-10
OptiMOS
廬
Power-Transistor
Feature
鈥?/div>
N-Channel
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
30
10
30
P- TO252 -3-11
V
m鈩?/div>
A
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Logic Level
鈥?/div>
Low On-Resistance
R
DS(on)
鈥?/div>
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
鈥?/div>
Superior thermal resistance
鈥?/div>
175擄C operating temperature
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
SPD30N03S2L-10
Package
Ordering Code
P- TO252 -3-11 Q67042-S4030
Marking
2N03L10
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
1)
T
C
=25擄C
Value
30
30
Unit
A
I
D
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
120
150
10
6
鹵20
100
-55... +175
55/175/56
kV/碌s
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, single pulse
I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25鈩?/div>
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode dv/dt
I
S
=30A,
V
DS
=24V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2003-04-24

SPD30N03S2L-10 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 30 A

  • 10.4 m Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-252

  • Reel

  • 17 ns

  • 47.5 S / 23.8 S

  • - 55 C

  • 100 W

  • 13 ns

  • 2500

  • 27 ns

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